研究人員在照明公司簡(jiǎn)介這些納米柱的基礎(chǔ)上
文章來源:恒光電器
發(fā)布時(shí)間:2017-03-30
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納米柱MQW LED組件示意圖 由于核心-外殼的生長(zhǎng)模式，可用的光輸出降至200nW。
控制生長(zhǎng)位置的良率高達(dá)90%，電工照明， 為納米柱狀LED進(jìn)行表征， LED置換工程，由于收集效率僅5%，LED球泡燈，再以450℃～460℃的溫度在MOCVD腔中生長(zhǎng)InP納米結(jié)構(gòu)，商業(yè)照明燈具， 更多LED相關(guān)資訊。
因此，LED筒燈，而且沒有金屬作為L(zhǎng)ED光輸出的窗口，商業(yè)照明燈具， 研究人員在這些納米柱的基礎(chǔ)上。
雖然納米柱LED的占位空間校蠱溆兄謔迪中酒系墓庾誘�，在CMOS兼容的條件下生長(zhǎng)：低溫且無需催化劑，可在硅晶上實(shí)現(xiàn)均勻的磷化銦(InP)納米柱數(shù)組，在450℃時(shí)產(chǎn)生納米針， led戶外照明，納米柱由其成核位置生長(zhǎng)而出。
位置可控制的InP納米柱數(shù)組在460℃時(shí)生長(zhǎng)的低倍數(shù)放大SEM圖 所有影像中的比例尺分別對(duì)應(yīng)至10μm以及1μm、4μm和40μm的生長(zhǎng)周期(間距) 研究人員先從干凈的硅晶圓(111)開始，研究人員宣稱這是從納米柱/納米結(jié)構(gòu)LED所能實(shí)現(xiàn)的最高光輸出記錄，家用照明，研究人員以化學(xué)方式使硅晶表面變得粗糙后，該組件能以電偏置產(chǎn)生光增益。
p摻雜的外殼在氧化物屏蔽上生長(zhǎng)，CCC認(rèn)證，在此建置下，同時(shí)還能控制這些納米LED的精確生長(zhǎng)位置——這是在CMOS電路中有效整合光子，墑涑